晶片功率暴增，傳統膠材已面臨散熱與高溫蠕變瓶頸。愛迪克科技成功研發「IGBT 250℃ 低溫燒結銀漿」，專為高功率電能轉換與先進封裝設計。

四大核心技術優勢：

1. 極致散熱：Hot Disk 實測熱導率達 156 W/m·K，完美解熱。

2. 彈性工藝：175~250℃ 低溫無壓燒結，對銅箔與矽晶片具備極高附著力。

3. 高可靠度：緻密低孔隙結構、CTE 匹配優異，高溫下強效抗蠕變。

4. 綠色環保：完全無鉛，符合國際綠色供應鏈趨勢。